在半导体器件表征、二维材料输运性质研究及宽禁带半导体测试中,环境温控的精度、电学本底噪声以及光学兼容性是决定实验数据质量的核心要素。
近期,我们推出的一款高真空变温探针台,凭借其出色的电学屏蔽设计与热学控制系统,已通过中科院技物所、国科大杭高院等客户的严格验证,为微区原位测试提供了高稳定性的实验平台。
核心技术优势
1. 极低本底噪声:飞安级漏电流控制
电学测量精度是探针台的关键指标。该设备通过三同轴(Triaxial)BNC接口设计,配合优化的屏蔽结构,实现了极低的漏电流水平。
常温环境下: 漏电流 <100fA;
极低温环境(-190℃):漏电流维持在500fA以内;
极限性能:经过系统优化,漏电可进一步压缩至<30fA。
这为 MOSFET亚阈值摆幅、微弱光电流及高阻材料的特性分析提供了纯净的测试背景。
2. 宽温域与高动态热响应
系统采用液氮致冷与电阻加热相结合的控温方案,兼顾了温域宽度与调节速率:
温控范围: -190℃ 至 400℃,覆盖从低温物理到高温退火的完整区间。
热学精度: 采用 PID 算法控制,常温及高温段稳定性达 ±0.1℃。
高效平衡: 银质载样台具备非常好的热传导性,最快升温速率达 150℃/min,显著提升了变温实验的循环效率。

3. 兼容短工作距离的光学系统
针对原位光谱测试需求,该探针台在紧凑的结构内实现了光学与电学的深度融合:
超薄设计: 载样台至视窗上表面的距离最小仅为 4mm(光谱模式),兼容高倍率显微镜及短工作距离物镜。
广谱透射:配备 JGS-2 石英玻璃视窗,透射波段覆盖 220nm 至 2500nm,满足从深紫外激发到近红外检测的需求。
防结霜机制:内置吹气支架,确保低温测试下窗口的清晰度。
4. 高真空运行环境
设备配备真空腔室,结合分子泵可达到 10E-4Pa的高真空度。出色的保压性能可有效防止样品在低温下冷凝结霜或在高温下氧化,确保了实验环境的化学惰性与物理稳定性。
典型应用领域
• 微纳电子器件:变温 I-V、C-V特性表征及可靠性分析。
• 新型光电器件:宽波谱响应、量子效率及光致发光(PL)原位测试。
• 材料物理研究:超导转变、铁电/铁磁相变过程中的电学规律探索。

本款高真空变温探针台通过精密的热力学设计与电学屏蔽技术,解决了空间受限条件下高真空变温测试的难题。其严谨的工艺标准可为科研院所提供稳定、精准的实验支撑。
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